產品介紹
設備采用公司自主可控的氣體分配系統技術，支持片狀加熱或鎢絲加熱，基底表面工作溫度可達1200℃以上。同時采用先進的反應腔與控制系統，在8英寸大尺寸基底上實現優異的膜厚與波長均勻性（±1%以內）。采用MO源與反應腔氣體分離輸送的技術，便于將來升級換代；關鍵組件均為自主設計、國內生產制造，維護保養成本低。設備可選在線紅外測溫系統與機械手自動取放系統，減少薄膜生長過程的人為因素干擾。該設備具有薄膜質量高、自動化程度高、升降溫速率快等優點，科研院所及企業研發的理想產品。

應用領域：2D電子材料WS2，MoS2，藍光LED、綠光LED、半導體激光器、半導體探測器等化合物半導體材料。

產品特點：

* 極高氣體流程均勻性和重復性
* 基底表面工作溫度可達1200℃以上
* 可實現高速、高質量WS2,MoS2,GaN,SiC等材料生長